《半導(dǎo)體器件物理》博士生入學考試大綱
　　一、復(fù)習內(nèi)容及基本要求
　　1.半導(dǎo)體中載流子特性：晶體結(jié)構(gòu)，能帶與能隙，載流子及熱平衡，載流子宏觀遷移。
　　2.p-n結(jié)形成;耗盡層，電流電壓特性，結(jié)擊穿，異質(zhì)結(jié)，傳輸過程與噪音。
　　3.雙極器件;靜態(tài)特性，微波特性，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。
　　4.MIS;電流傳輸過程，器件結(jié)構(gòu)，歐姆接觸，勢壘高度，理想MIS電容。
　　5.MOS：基本器件特性;期間按比例縮小，短溝道效應(yīng)，器件基本結(jié)構(gòu)。
　　6.JFET原理與特性。
　　7.光電子器件(LED、太陽能電池)原理以及特性。
　　8.巨磁阻效應(yīng)及其器件
　　9.考試的基本要求
　　要求考生有扎實的半導(dǎo)體物理，半導(dǎo)體器件，及微電子實驗基礎(chǔ)理論知識和技術(shù)基礎(chǔ)。掌握半導(dǎo)體器件系統(tǒng)的主要組成部分的基本原理，能夠綜合量子物理、半導(dǎo)體物理、器件物理的知識分析和解決問題。
　　二、建議參考
　　1.施敏編著 《現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理》第3版 西安交通大學出版社。
　　2.韓秀峰著 《自旋電子學導(dǎo)論》上卷 第一章 科學出版社。