1.D
考點(diǎn):葡萄糖的性質(zhì)和用途.菁優(yōu)網(wǎng)版權(quán)所有
分析:葡萄糖含有醛基,故可與新制備氫氧化銅濁液在加熱條件下發(fā)生氧化還原反應(yīng),生成紅色沉淀,依此進(jìn)行判斷.
解答:解:A.食醋的主要成分是乙酸,不含有醛基,故不能與新制備氫氧化銅濁液在加熱條件下發(fā)生氧化還原反應(yīng),故A錯(cuò)誤;
B.白酒的主要成分是乙醇,不含有醛基,故不能與新制備氫氧化銅濁液在加熱條件下發(fā)生氧化還原反應(yīng),故B錯(cuò)誤;
C.食鹽的主要成分是氯化鈉,不含有醛基,故不能與新制備氫氧化銅濁液在加熱條件下發(fā)生氧化還原反應(yīng),故A錯(cuò)誤;
D.葡萄糖含有醛基,故可與新制備氫氧化銅濁液在加熱條件下發(fā)生氧化還原反應(yīng),生成紅色沉淀,故D正確;
故選D.
點(diǎn)評(píng):本題考查常見物質(zhì)的性質(zhì),難度不大.要注意含有醛基的物質(zhì),可與新制備氫氧化銅濁液在加熱條件下發(fā)生氧化還原反應(yīng),生成紅色沉淀.
2.A
考點(diǎn):有機(jī)高分子化合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì).
分析:高分子化合物相對(duì)分子質(zhì)量特別大一般達(dá)1萬(wàn)以上、一般具有重復(fù)結(jié)構(gòu)單元.
解答:解:A.蛋白質(zhì)相對(duì)分子質(zhì)量較大,屬于高分子化合物,故A正確;
B.油脂相對(duì)分子質(zhì)量較小,不屬于高分子化合物,故B錯(cuò)誤;
C.葡萄糖是單糖,相對(duì)分子質(zhì)量較小,不屬于高分子化合物,故C錯(cuò)誤;
D.蔗糖屬于二糖,葡萄糖屬于單糖,相對(duì)分子質(zhì)量不很大,不屬于高分子化合物,故D錯(cuò)誤.
故選A.
點(diǎn)評(píng):本題考查生命中的基礎(chǔ)有機(jī)化學(xué)物質(zhì),難度較小,清楚高分子化合物概念及常見的高分子化合物即可解答.
3.B
4.D
解:A.油脂在酸性條件下水解生成高級(jí)脂肪酸和丙三醇,故A正確;
B.碘單質(zhì)遇淀粉變藍(lán)色,若變藍(lán)則水解不完全,故B正確;
C.蛋白質(zhì)水解的最終產(chǎn)物均為氨基酸,故C正確;
D.因淀粉和纖維素水解的產(chǎn)物都是葡萄糖,故D錯(cuò)誤.
故選D.
5.D
6.B
略
7.A
略
8.(1)H2SO4;NaOH;Cu(OH)2;
(2)否;葡萄糖和新制氫氧化銅的反應(yīng)應(yīng)該在堿性條件下進(jìn)行;
(3)加入碘水,看是否變藍(lán),若變藍(lán)說(shuō)明部分水解,若不變藍(lán)說(shuō)明水解完全.
解:(1)淀粉需要在稀硫酸作催化劑條件下發(fā)生水解反應(yīng),所以A為H2SO4;得到的磚紅色沉淀為氧化亞銅,說(shuō)明試劑C為Cu(OH)2混懸液,葡萄糖和新制氫氧化銅的反應(yīng)應(yīng)該在堿性條件下進(jìn)行,所以加入氫氧化銅懸濁液前需要用NaOH溶液中和,則B為NaOH,
故答案為:H2SO4;NaOH;Cu(OH)2;
(2)由于葡萄糖和新制氫氧化銅的反應(yīng)應(yīng)該在堿性條件下進(jìn)行,所以加入氫氧化銅懸濁液前必須加入NaOH溶液中和,
故答案為:否;葡萄糖和新制氫氧化銅的反應(yīng)應(yīng)該在堿性條件下進(jìn)行;
(3)淀粉遇到碘單質(zhì)顯示藍(lán)色,所以向溶液中加入碘水,若變藍(lán)說(shuō)明淀粉沒有完全水解,若不變藍(lán)說(shuō)明淀粉已經(jīng)完全水解,
故答案為:加入碘水,看是否變藍(lán),若變藍(lán)說(shuō)明部分水解,若不變藍(lán)說(shuō)明水解完全.
9.(1)淀粉溶液葡萄糖溶液蔗糖溶液
(2)①C12H12O11+H2OC6H12O6+C6H12O6
蔗糖葡萄糖果糖
②(C6H10O5-)n+nH2OnC6H12O6
淀粉葡萄糖
解析A遇碘水變藍(lán)色,則A為淀粉;葡萄糖不能發(fā)生水解反應(yīng),且葡萄糖分子結(jié)構(gòu)中含有醛基,能與銀氨溶液發(fā)生銀鏡反應(yīng),故B為葡萄糖,C為蔗糖。
一、選擇題(本題共7道小題1.下列各組元素性質(zhì)的遞變情況錯(cuò)誤的是()
A.Na、Mg、Al原子最外層電子數(shù)依次增多
B.P、S、Cl元素正價(jià)依次升高
C.N、O、F第一電離能依次增大
D.Na、K、Rb電負(fù)性逐漸減小
2.下列表示式錯(cuò)誤的是()
A.Na+的軌道表示式:
B.Na+的結(jié)構(gòu)示意圖:
C.Na的電子排布式:1s22s22p63s1
D.Na的簡(jiǎn)化電子排布式:[Ne]3s1
3.短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、w、Y具有如下信息:①R、Y原子的最外層電子數(shù)與電子層數(shù)相同;@Q是地殼中含量的元素,R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù);③w與R同主旅。下列說(shuō)法正確的是()
A.T、Q、w、Y的原子半徑大小為:T乙>甲
D.甲、乙和丙分子均為由極性鍵構(gòu)成的極性分子
(3)由元素J、C、E組成一種化學(xué)式為J(CE)的配位化合物,該物質(zhì)常溫下呈液態(tài),熔點(diǎn)為
一20.5℃,沸點(diǎn)為103~C,易溶于非極性溶劑。據(jù)此可判斷:該化合物的晶體中存在的作用力有()
A.離子鍵B.極性鍵C.非極性鍵D.范德華力E.氫鍵F.配位鍵
、.(1)BCl3中B原子的雜化方式為。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有種。寫出與BCl3結(jié)構(gòu)相同的一種等電子體(寫離子)。
(2)科學(xué)家測(cè)得膽礬中既含有配位鍵,又含有氫鍵,其結(jié)構(gòu)示意圖可簡(jiǎn)單表示如下:
、倌懙\的化學(xué)式用配合物的形式表示為的
、谀懙\中SO42-的空間構(gòu)型為
評(píng)卷人
得分
三、實(shí)驗(yàn)題(本題共0道小題,,共0分)試卷答案
1.C
考點(diǎn):同一周期內(nèi)元素性質(zhì)的遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系;同一主族內(nèi)元素性質(zhì)遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系.
分析:A、根據(jù)Na、Mg、Al原子的核外電子排布分析;
B、根據(jù)P、S、Cl最外層電子數(shù)目=元素的正價(jià)(氧、氟除外);
C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小,第IIIA和第VA族反常;
D、同主族元素從上到下元素的電負(fù)性逐漸減弱.
解答:解:A、Na、Mg、Al原子的核外電子分別為11、12、13,原子最外層電子數(shù)分別為1、2、3,逐漸增多,故A正確;
B、P、S、Cl最外層電子數(shù)目分別為5、6、7,正化合價(jià)分別為+5、+6、+7,故B正確;
C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小,第IIIA和第VA族反常,O、N、F第一電離能依次增大,故C錯(cuò)誤;
D.同主族元素從上到下元素的電負(fù)性依次減弱,則Na、K、Rb元素的電負(fù)性逐漸減小,故D正確.
故選C.
點(diǎn)評(píng):本題考查元素周期律,明確同主族、同周期元素的性質(zhì)變化規(guī)律是解答本題的關(guān)鍵,難度不大.
2.A
考點(diǎn):原子核外電子排布;原子結(jié)構(gòu)示意圖.
分析:鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1,或?qū)憺閇Ne]3s1,Na+的原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子,核外有10個(gè)電子,Na為金屬元素,易失去電子,所以其價(jià)電子排布式為:3s1,軌道表示式用箭頭“↑”或“↓”來(lái)區(qū)別自旋方向的不同電子,每個(gè)軌道最多容納2個(gè)電子且自旋方向相反,據(jù)此分析解答.
解答:解:A.軌道表示式用一個(gè)方框或圓圈表示能級(jí)中的軌道,用箭頭“↑”或“↓”來(lái)區(qū)別自旋方向的不同電子,每個(gè)軌道最多容納2個(gè)電子,2個(gè)電子處于同一軌道內(nèi),且自旋方向相反,所以Na+的軌道表示式:,故A錯(cuò)誤;
B.Na+的原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子,核外有10個(gè)電子,結(jié)構(gòu)示意圖為,故B正確;
C.鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1,或?qū)憺閇Ne]3s1,故C正確;
D.鈉原子的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ne]3s1,故D正確;
故選A.
點(diǎn)評(píng):本題考查原子核外電子排布,為高考常見題型,難度不大,注意把握原子核外電子的排布規(guī)律,把握電子排布式和軌道式的書寫方法.
3.B
知識(shí)點(diǎn):位置、結(jié)構(gòu)、性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用
答案解析:B解析:短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、W、Y,Q是地殼中含量的元素,則Q是O元素;R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù),且R原子的最外層電子數(shù)等于其單質(zhì)層數(shù),則R是H,T是N元素;Y原子的最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù),且Y的原子序數(shù)大于O元素,則Y電子層數(shù)為3、其最外層電子數(shù)是3,則Y是Al元素;W與R同主族且W原子序數(shù)大于O而小于Al,則W為Na。
A.原子的電子層數(shù)越大,其原子半徑越大,同一周期元素中,原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小,所以元素T、Q、W、Y的原子半徑大小為:Q
錯(cuò)誤;B.元素Q與W形成的兩種常見化合物分別是Na2O、Na2O2,氧化鈉、過(guò)氧化鈉中含有相同比例的陰、陽(yáng)離子,其陰陽(yáng)離子之比為1:2,正確;C.Q與Y組成的常見物質(zhì)是Al2O3,氧化鋁是一種兩性物質(zhì),錯(cuò)誤;D.由Y和T組成的物質(zhì)AlN,AlN屬于原子晶體,在電子和陶瓷工業(yè)上有廣泛應(yīng)用,可以直接由單質(zhì)Y和T在高溫下生成,錯(cuò)誤。
思路點(diǎn)撥:本題考查了元素位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用,明確原子結(jié)構(gòu)、元素周期表結(jié)構(gòu)是解本題關(guān)鍵,根據(jù)原子結(jié)構(gòu)確定元素,再結(jié)合物質(zhì)結(jié)構(gòu)、元素周期律來(lái)分析解答,注意過(guò)氧化鈉的陰陽(yáng)離子分別是過(guò)氧根離子和鈉離子,為易錯(cuò)點(diǎn)。
4.D
考點(diǎn):鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角及其應(yīng)用;原子核外電子排布;判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型.
分析:A.根據(jù)鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大判斷;
B.上下兩個(gè)頂點(diǎn)與中心R原子形成的鍵角為180°,中間為平面三角形,構(gòu)成三角形的鍵角為120°,頂點(diǎn)與平面形成的鍵角為90°;
C.RCl5RCl3+Cl2↑;
D.R原子最外層有5個(gè)電子,形成5個(gè)共用電子對(duì).
解答:解:A.鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,鍵長(zhǎng)不同,所以鍵能不同,故A正確;
B.上下兩個(gè)頂點(diǎn)與中心R原子形成的鍵角為180°,中間為平面三角形,構(gòu)成三角形的鍵角為120°,頂點(diǎn)與平面形成的鍵角為90°,所以鍵角(Cl﹣R﹣Cl)有90°、120、180°幾種,故B正確;
C.RCl5RCl3+Cl2↑,則RCl5受熱后會(huì)分解生成分子立體結(jié)構(gòu)呈三角錐形的RCl3,故C正確;
D.R原子最外層有5個(gè)電子,形成5個(gè)共用電子對(duì),所以RCl5中R的最外層電子數(shù)為10,不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故D錯(cuò)誤.
故選D.
點(diǎn)評(píng):本題考查了鍵角、鍵能、8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)等,題目難度不大,注意分析題目中分子的立體結(jié)構(gòu)圖.
5.C
考點(diǎn):原子結(jié)構(gòu)與元素周期律的關(guān)系;原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì).
分析:短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4:3,由于為主族元素,最外層電子數(shù)不能為8,故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3,且X原子序數(shù)較大,故W處于第二周期,X處于第三周期,可推知W為C元素、X為Al元素,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4,則Z為Cl,Y為Al到Cl之間的元素,據(jù)此解答.
解答:解:短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4:3,由于為主族元素,最外層電子數(shù)不能為8,故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3,且X原子序數(shù)較大,故W處于第二周期,X處于第三周期,可推知W為C元素、X為Al元素,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4,則Z為Cl,Y為Al到Cl之間的元素.
A.若Y為Si,則電負(fù)性Si
B.同周期自左而右原子半徑減小,電子層越多原子半徑越大,故原子半徑X>Y>Z>W,故B錯(cuò)誤;
C.Y、Cl形成的分子可以為SiCl4,為正四面體構(gòu)型,故C正確;
D.WY2分子應(yīng)為CS2,結(jié)構(gòu)式為S=C=S,分子中δ鍵與π鍵的數(shù)目之比是1:1,故D錯(cuò)誤,
故選C.
點(diǎn)評(píng):本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用,涉及原子電負(fù)性、半徑比較、化學(xué)鍵、分子結(jié)構(gòu)等,推斷元素是解題關(guān)鍵,注意Y元素的不確定性,難度中等.
6.B
考點(diǎn):微粒半徑大小的比較;元素周期律的作用;元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用;鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角及其應(yīng)用.
專題:元素周期律與元素周期表專題.
分析:A.電子層結(jié)構(gòu)相同,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,電子層越多離子半徑越大;
B.非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越強(qiáng),價(jià)含氧酸的酸性越強(qiáng);
C.甲烷為正四面體,二氧化碳為直線型,水分子為V形,氧原子有2對(duì)孤電子對(duì),孤電子對(duì)之間排斥大于成鍵電子對(duì),鍵角小于甲烷,據(jù)此判斷鍵角;
D.離子電荷相同,離子半徑越大離子鍵越弱,物質(zhì)越不穩(wěn)定.
解答:解:A.F﹣、O2﹣、Na+電子層結(jié)構(gòu)相同,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,故離子半徑O2﹣>F﹣>Na+,Li+電子層最少,故離子半徑最小,則微粒半徑:O2﹣>F﹣>Na+>Li+,故A錯(cuò)誤;
B.非金屬性CC,酸性:HClO4>H2CO3,故B正確;
C.甲烷為正四面體,二氧化碳為直線型,水為V形,氧原子有2對(duì)孤電子對(duì),孤電子對(duì)之間排斥大于成鍵電子對(duì),故其鍵角小于甲烷,即分子中的鍵角:CO2>CH4>H2O,故C錯(cuò)誤;
D.離子電荷相同,自上而下堿金屬離子半徑減小,故離子鍵強(qiáng)度LiCl>NaCl>KCl>RbCl,故穩(wěn)定性LiCl>NaCl>KCl>RbCl,故D錯(cuò)誤,
故選B.
點(diǎn)評(píng):本題考查微粒半徑比較、元素周期律、鍵參數(shù)、晶體類型與性質(zhì)等,注意根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷鍵角.
7.D
【知識(shí)點(diǎn)】原子結(jié)構(gòu)與元素周期率的關(guān)系
解析:X、Y、Z、W、M五種短周期元素,Y的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)高、硬度大,是一種重要的半導(dǎo)體材料,可知Y為Si;X、Y、Z、W同周期,都處于第三周期,由X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu),可知X為Na、M為O;Z、M同主族,則Z為S;原子半徑:Z>W,則W為Cl。A.鈉和氧可以形成Na2O、Na2O2,故A錯(cuò)誤;C.因水分子中存在氫鍵,所以水的沸點(diǎn),沸點(diǎn)為H2O>HCl>H2S,故C錯(cuò)誤;B.元素Y(Si)、Z(S)、W(Cl)的單質(zhì)晶體分別屬于原子晶體、分子晶體、分子晶體,故B錯(cuò)誤;D.元素W和M的某些單質(zhì)如氯氣和臭氧可作為水處理中的消毒劑,正確。
【思路點(diǎn)撥】本題考查了位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)關(guān)系應(yīng)用,難度中等,“Y是種重要的半導(dǎo)體材料、X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu)”是推斷突破口,注意D選項(xiàng)中高純硅的制備原理,注意對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的積累掌握.
8.(1)①三角錐型;sp3;②3;
(2)①?gòu)?qiáng);平面三角形;三角錐形;
、贖2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價(jià),而H2SeO4中的Se為+6價(jià),正電性更高,導(dǎo)致Se﹣O﹣H中O的電子更向Se偏移,更易電離出H+.
考點(diǎn):判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型;物質(zhì)的量的相關(guān)計(jì)算;同一主族內(nèi)元素性質(zhì)遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系;原子軌道雜化方式及雜化類型判斷.
分析:(1)①根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子空間構(gòu)型,根據(jù)中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)判斷雜化方式;
、诟鶕(jù)化學(xué)方程式計(jì)算產(chǎn)生的氮?dú)獾奈镔|(zhì)的量,再根據(jù)每個(gè)氮分子中含有2個(gè)π鍵計(jì)算;
(2)①非金屬性越強(qiáng)的元素,其與氫元素的結(jié)合能力越強(qiáng),則其氫化物在水溶液中就越難電解,酸性就越弱;根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型、SO32﹣離子的立體構(gòu)型;
②根據(jù)中心元素Se的化合價(jià)可以判斷電性高低,電性越高,對(duì)Se﹣O﹣H中O原子的電子吸引越強(qiáng),越易電離出H+.
解答:解:(1)①在NH3分子中,有3個(gè)N﹣H鍵,和一對(duì)孤電子對(duì),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子空間構(gòu)型為三角錐型,在N2H4中,氮原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為=4,所以氮原子的雜化方式為sp3雜化,故答案為:三角錐型;sp3;
②反應(yīng)中有4molN﹣H鍵斷裂,即有1molN2H4參加反應(yīng),根據(jù)化學(xué)方程式可知產(chǎn)生的氮?dú)獾奈镔|(zhì)的量為1.5mol,而每個(gè)氮分子中含有2個(gè)π鍵,所以形成3molπ鍵,故答案為:3;
(2)①非金屬性越強(qiáng)的元素,其與氫元素的結(jié)合能力越強(qiáng),則其氫化物在水溶液中就越難電解,酸性就越弱,非金屬性S>Se,所以H2Se的酸性比H2S強(qiáng);
氣態(tài)SeO3分子中Se原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),所以其立體構(gòu)型為平面三角形;
SO32﹣離子中S原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+(6+2﹣3×2)=4且含有一個(gè)孤電子對(duì),所以其立體構(gòu)型為三角錐形,
故答案為:強(qiáng);平面三角形;三角錐形;
②H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價(jià),而H2SeO4中的Se為+6價(jià),正電性更高,導(dǎo)致Se﹣O﹣H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+,H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng),
故答案為:H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價(jià),而H2SeO4中的Se為+6價(jià),正電性更高,導(dǎo)致Se﹣O﹣H中O的電子更向Se偏移,更易電離出H+.
點(diǎn)評(píng):本題主要考查了原子核外電子排布、分子空間構(gòu)型、原子雜化方式、化學(xué)鍵的計(jì)算等知識(shí),難度不大,(1)解題中注意對(duì)分子結(jié)構(gòu)的分析.
9.(1)M94(2)二氧化硅(3)共價(jià)鍵3
(4)Mg2Si+4NH4Cl==SiH4+4NH3+2MgCl2
(5)①C—C鍵和C—H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低,易斷裂。導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成
②C—H鍵的鍵能大于C—O鍵,C一H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si—O鍵,所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵
(6)sp31:3[SiO3]n2n-(或SiO32-)
知識(shí)點(diǎn):物質(zhì)結(jié)構(gòu)與元素周期律
解析:(1)硅原子核外有14個(gè)電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2,對(duì)應(yīng)能層分別別為K、L、M,其中能量的是最外層M層,該能層有s、p、d三個(gè)能級(jí),s能級(jí)有1個(gè)軌道,p能級(jí)有3個(gè)軌道,d能級(jí)有5個(gè)軌道,所以共有9個(gè)原子軌道,硅原子的M能層有4個(gè)電子(3s23p2);
(2)硅元素在自然界中主要以化合態(tài)(二氧化硅和硅酸鹽)形式存在;
(3)硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體,硅原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合.在金剛石晶體的晶胞中,每個(gè)面心有一個(gè)碳原子(晶體硅類似結(jié)構(gòu)),根據(jù)均攤法知面心位置貢獻(xiàn)的原子為6×1/2=3個(gè);
(4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2,方程式為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2;
(5)①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能,所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成;②鍵能越大、物質(zhì)就越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定,而Si-H鍵的鍵能遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵;
(6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO44−)為正四面體結(jié)構(gòu),所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;根據(jù)圖(b)的一個(gè)結(jié)構(gòu)單元中含有1個(gè)硅、3個(gè)氧原子,化學(xué)式為SiO32-。
思路點(diǎn)撥:雜化方式看物質(zhì)的結(jié)構(gòu)比如:直線型為sp,平面型為sp2,四面體型為sp3,或運(yùn)用價(jià)電子對(duì)數(shù)計(jì)算法:對(duì)于ABm型分子(A為中心原子,B為配位原子),分子的價(jià)電子對(duì)數(shù)可以通過(guò)下列計(jì)算確定:n=1/2(中心原子的價(jià)電子數(shù)+每個(gè)配位原子提供的價(jià)電子數(shù)×m),配位原子中鹵素原子、氫原子提供1個(gè)價(jià)電子,氧原子和硫原子按不提供價(jià)電子計(jì)算;若為離子,須將離子電荷計(jì)算在內(nèi):n=1/2(中心原子的價(jià)電子數(shù)+每個(gè)配位原子提供的價(jià)電子數(shù)×m±離子電荷數(shù)),陽(yáng)離子取“-”,陰離子取“+”。根據(jù)價(jià)電子對(duì)數(shù)可以有以下結(jié)論:
分子價(jià)電子對(duì)數(shù)幾何構(gòu)型中心原子雜化類型
BeCl22直線型sp
BF33平面三角形sp2
SiCl44正四面體sp3
價(jià)層孤VS立體SO330sp2平面三角CH440sp3正四面體NH4+40sp3正四面體H2O42sp3VBF330sp2平面三角CO32-30sp2平面三角SO231sp2VNH341sp3三角錐
10.I.(1);F>N>O>C(2)CD(3)BDF
(3)根據(jù)其性質(zhì)可知應(yīng)為分子晶體,晶體中存在范德華力,Cr(CO)5為配位化合物,其中含有配位鍵,CO中存在碳氧極性鍵。
、.(1)sp2;3;NO3-或CO32-.
(2)①[Cu(H2O)4SO4]·H2O②正四面體.
知識(shí)點(diǎn):原子軌道雜化方式及雜化類型判斷,“等電子原理”的應(yīng)用,不同晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作用力的區(qū)別,元素周期律和元素周期表的綜合應(yīng)用
答案解析:I(1);F>N>O>C(2)CD(3)BDF
(3)根據(jù)其性質(zhì)可知應(yīng)為分子晶體,晶體中存在范德華力,Cr(CO)5為配位化合物,其中含有配位鍵,CO中存在碳氧極性鍵。
、.(1)sp2;3;NO3-或CO32-.
(2)①[Cu(H2O)4SO4]·H2O②正四面體.
解析:由元素在周期表中位置,可知A為氫、B為Be、C為碳、D為氮、E為氧、F為氟、G為Al、H為Cl、I為Cr、J為Fe.(1)I為Cr,核外電子數(shù)目為24,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,價(jià)電子排布圖為;同周期自左而右元素第一電離能呈增大趨勢(shì),N元素原子各軌道處于全滿、半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能:F>N>O>C。
(2)元素A分別與C、D、E形成最簡(jiǎn)單的常見化合物分子甲、乙和丙分別為CH4、NH3、H2O,A.CH4、NH3、H2O的空間構(gòu)型分別為正四面體形、三角錐形、V形,故A正確;B.CH4、NH3、H2O中,中心原子均價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4,均采取sp3的雜化方式,故B正確;C.由于排斥力:孤電子對(duì)-孤電子對(duì)>孤電子對(duì)-成鍵電子對(duì)>成鍵電子-成鍵電子,故鍵角甲烷>氨氣>水,故C錯(cuò)誤;D.甲烷是非極性分子,故D錯(cuò)誤。
Ⅱ.(1)BCl3中的B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),所以B原子屬于sp2雜化;同一周期元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì),但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于相鄰元素,根據(jù)電離能的變化規(guī)律,半充滿的N原子和全充滿的Be原子第一電離能要比同周期原子序數(shù)大的原子高,故第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O三種元素;BCl3互為等電子體的陰離子為:NO3-或CO32-。
(2)①根據(jù)其結(jié)構(gòu)示意圖可以得到膽礬的化學(xué)式為:[Cu(H2O)4SO4]·H2O。
、赟O42-中中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+(6+2−2×4)/2=4、孤電子對(duì)數(shù)為0,為正四面體結(jié)構(gòu).
思路點(diǎn)撥:本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查,涉及元素周期表、元素周期律、核外電子排布、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、配合物、氫鍵等,難度中等,側(cè)重考查學(xué)生對(duì)知識(shí)的應(yīng)用,需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ);物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),較為綜合,題目難度中等,本題注意把握晶格能的大小比較、空間構(gòu)型的判斷方法。
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